[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：

提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；

以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及

使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中覆盖部分但非所有的第一半导体鳍的步骤包括使用一光致抗蚀剂，且该掩模材料包括一图案化的光致抗蚀剂薄膜。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该掩模材料未覆盖最靠近所述多个第二半导体鳍的第一半导体鳍。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述多个第一半导体鳍形成于一具有第一极性的基底上方，所述多个第二半导体鳍形成于一具有相反的第二极性的基底上方。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该提供的步骤包括形成一半导体材料层于一晶片表面上方，且图案化该半导体材料层，以形成所述多个第一和第二半导体鳍。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该注入的步骤包括一轻掺杂漏极注入工艺。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该注入的步骤包括注入As、P、Sb、N、B和In的至少一离子，且该注入的角度相对于所述多个第二半导体鳍的侧壁表面大体上为45°。

8.一种半导体元件的制造方法，该方法包括：

提供一具有一晶片表面的晶片、多个形成于该晶片表面上方的第一鳍，和多个形成于该晶片表面上方的第二鳍；

形成一光致抗蚀剂图案于该晶片上方，该光致抗蚀剂图案覆盖部分但非所有的第一鳍，其中最靠近所述多个第二鳍的第一鳍没有被该光致抗蚀剂图案覆盖，且所述多个第二鳍没有被该光致抗蚀剂图案覆盖；及

使用一倾斜角度注入所述多个第二鳍。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，还包括控制该注入的角度，借以使所述未被覆盖的第一鳍皆没有被注入。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述多个第一鳍中包括一第一极性的掺杂物，所述多个第二鳍中包括相反极性的掺杂物。

11.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述多个第一鳍形成于一第一极性的第一基底上方，所述多个第二鳍形成于一相反极性的第二基底上方。

12.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一鳍形成一阵列，且该光致抗蚀剂图案覆盖该阵列，除了最外边邻近所述多个第二鳍的第一鳍。

13.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中该提供的步骤包括形成所述多个第一鳍和所述多个第二鳍至大体上相同的高度。

14.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中该注入的步骤包括执行一轻掺杂漏极注入工艺。

15.一种半导体元件的制造方法，该方法包括：

提供一具有一晶片表面的晶片、多个形成于该晶片表面上方的第一鳍，和多个形成于该晶片表面上方的第二鳍，所述多个第二鳍包括一最靠近所述多个第一鳍的最外第二鳍；

形成一光致抗蚀剂图案于该晶片上方，该光致抗蚀剂图案不覆盖所述多个第一鳍，覆盖至少一些第二鳍，且其中该光致抗蚀剂图案包括一边缘，该边缘位于该最外第二鳍上方，或介于该最外第二鳍和所述多个第一鳍间，且该边缘与该最外第二鳍的距离小于其与所述多个第一鳍的距离；及

使用一倾斜角度注入所述多个第一鳍。