[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：第一有源区，设置在基板上的存储器区域内；第二有源区，通过元件隔离与所述第一有源区进行隔离、并设置在比所述第一有源区内更靠近所述存储器区域中心的位置处；第一栅电极，横切所述第一有源区；第二栅电极，与所述第一栅电极隔离并横切所述第一有源区及所述第二有源区；第一漏极单元，位于所述第一有源区中的所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；第二漏极单元，位于所述第二有源区中的第二栅电极的所述第一漏极单元侧；第一布线，连接所述第一漏极单元和所述第二漏极单元；第三栅电极，与所述第一栅电极及所述第二栅电极隔离、端部面对所述第一栅电极的所述第二有源区侧的端部；以及第二布线，连接所述第二漏极单元和所述第三栅电极，所述第二布线沿着相对于所述第一布线的长度方向倾斜的方向配置。