[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一有源区，设置在基板上的存储器区域内；

第二有源区，通过元件隔离与所述第一有源区进行隔离、并设置在比所述第一有源区内更靠近所述存储器区域中心的位置处；

第一栅电极，横切所述第一有源区；

第二栅电极，与所述第一栅电极隔离并横切所述第一有源区及所述第二有源区；

第一漏极单元，位于所述第一有源区中的所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；

第二漏极单元，位于所述第二有源区中的第二栅电极的所述第一漏极单元侧；

第一布线，连接所述第一漏极单元和所述第二漏极单元；

第三栅电极，与所述第一栅电极及所述第二栅电极隔离、端部面对所述第一栅电极的所述第二有源区侧的端部；以及

第二布线，连接所述第二漏极单元和所述第三栅电极，

所述第二布线沿着相对于所述第一布线的长度方向倾斜的方向配置。

2.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一有源区，设置在基板上的存储器区域内；

第二有源区，通过元件隔离与所述第一有源区进行隔离、并设置在比所述第一有源区内更靠近所述存储器区域中心的位置处；

第一栅电极，横切所述第一有源区；

第二栅电极，与所述第一栅电极隔离并横切所述第一有源区及所述第二有源区；

第一漏极单元，位于所述第一有源区中的所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；

第二漏极单元，位于所述第二有源区中的第二栅电极的所述第一漏极单元侧；

第一布线，连接所述第一漏极单元和所述第二漏极单元；

第三栅电极，与所述第一栅电极及所述第二栅电极隔离、端部面对所述第一栅电极的所述第二有源区侧的端部；

第二布线，连接所述第二漏极单元和所述第三栅电极；以及

层间绝缘膜，覆盖所述基板上，并形成为与所述第二栅电极和所述第三栅电极大致相同的高度，

所述第二布线的侧面与所述第三栅电极的侧面相接触。

3.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一有源区，设置在基板上的存储器区域内；

第二有源区，通过元件隔离与所述第一有源区进行隔离、并设置在比所述第一有源区内更靠近所述存储器区域中心的位置处；

第一栅电极，横切所述第一有源区；

第二栅电极，与所述第一栅电极隔离并横切所述第一有源区及所述第二有源区；

第一漏极单元，位于所述第一有源区中的所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；

第二漏极单元，位于所述第二有源区中的所述第二栅电极的所述第一漏极单元侧；

第一布线，连接所述第一漏极单元和所述第二漏极单元；

第三栅电极，与所述第一栅电极及所述第二栅电极隔离、端部面对所述第一栅电极的所述第二有源区侧的端部；

第二布线，连接所述第二漏极单元和所述第三栅电极；以及

层间绝缘膜，覆盖所述基板上，并形成为与所述第二栅电极和所述第三栅电极大致相同的高度，

所述第二布线的侧面与所述第三栅电极的侧面相接触，所述第二布线沿着相对于所述第一布线的长度方向倾斜的方向配置。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第三栅电极的面对所述第一栅电极的端部，相比于所述第二有源区的面对所述第一栅电极的左端部，从所述第一栅电极更向右后退。

5.根据权利要求1或者3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一布线及所述第二布线形成在所述层间绝缘膜内。

6.根据要求1～3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一漏极单元和所述第二漏极单元之间的元件隔离的沟槽设置所述第一布线。