[发明专利]高效晶体硅电池规模化制造方法无效
| 申请号： | 201010204186.4 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102290482A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陆兴艳 | 申请（专利权）人： | 陆兴艳 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226151 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，本发明电池效能高，工艺简单，易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 晶体 电池 规模化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，其特征是：高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
