[发明专利]高效晶体硅电池规模化制造方法

权利要求书

1.一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，其特征是：高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1。

2.根据权利要求1所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：高温烧结处理的温度对于区熔单晶硅电池为950～1200℃，对于直拉硅单晶电池的为800～1000℃，高温烧结处理时间为0.5～6小时。

3.根据权利要求1或2所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取快速进炉，硅片出炉时采取慢速出炉。

4.根据权利要求4所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：快速进炉是将同批需高温烧结处理的硅片在2秒～2分钟内完成进炉过程；慢速出炉是将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟～20分钟内完成出炉过程。