[发明专利]用于启动带隙基准电路的启动电路有效
| 申请号: | 201010203820.2 | 申请日: | 2010-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN101989096A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
| 发明(设计)人: | 李嘉富;李谷桓 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
| 代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 孙征;陆鑫 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种用于启动带隙基准电路的启动电路。还公开了一种带隙基准电路,其包括正电源节点和包括连接至正电源节点的源极的PMOS晶体管。启动电路被设置成在带隙基准电路启动阶段期间被开启以及在该启动阶段之后被关闭。该启动电路包括开关,该开关被设置成在启动阶段期间PMOS晶体管的栅极和漏极互相连接以及在启动阶段之后PMOS晶体管的栅极与PMOS晶体管的漏极断开。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 启动 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路结构包括:带隙基准电路,其包括:正电源节点;以及第一PMOS晶体管,其包括连接至所述正电源节点的源极;以及启动电路,用于在所述带隙基准电路的启动阶段期间开通,在所述启动阶段之后关闭,其中,所述启动电路包括开关,所述开关用于在所述启动阶段期间将所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极互相连接以及在所述启动阶段之后将所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一PMOS晶体管的漏极断开。
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