[发明专利]基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010198506.X | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102222654A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 林瑄智 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/532;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开提供一种基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法，前述的导通孔仅会产生极小的热膨胀应力，导通孔贯穿一基底，其包含一外管贯穿基底、至少一内管设置于外管内、一介电层覆盖该外管的一侧壁与内管的一侧壁与一底部、一提升强度材料层填入内管以及一导电层填入外管。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 具有 导通孔 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于包含：基底；以及导通孔贯穿该基底，其中该导通孔包含：外管贯穿该基底；至少一内管设置于该外管内；介电层覆盖该外管的一侧壁与该内管的一侧壁与一底部；提升强度材料层填入该内管；以及导电层填入该外管。
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