[发明专利]基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于包含：

基底；以及

导通孔贯穿该基底，其中该导通孔包含：

外管贯穿该基底；

至少一内管设置于该外管内；

介电层覆盖该外管的一侧壁与该内管的一侧壁与一底部；

提升强度材料层填入该内管；以及

导电层填入该外管。

2.如权利要求1所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该介电层使用与该提升强度材料层相异的材料形成。

3.如权利要求2所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该介电层包含氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求3所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该提升强度材料层包含氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该导电层包含钨或铜。

6.如权利要求1所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该外管的形状选自下列群组包含：圆柱型、三角柱、四角柱、五角柱以及六角柱。

7.如权利要求1所述的基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于该内管的形状选自下列群组包含：圆柱型、三角柱、四角柱、五角柱以及六角柱。

8.一种形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于包含：

提供一基底；

图案化该基底以形成至少一内管于该基底内；

形成一第一介电层于该内管的一侧壁和一底部上；

形成一提升强度材料层填入该内管；

图案化该基底以形成一外管，其中该外管环绕该内管；

形成一第二介电层于该外管的一侧壁；以及

形成一导电层填入该外管。

9.如权利要求8所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，另包含：

在形成该导电层之后，薄化该基底。

10.如权利要求9所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于在薄化该基底之后，该外管贯穿该基底。

11.如权利要求8所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于该内管和该外管的形状可以独立地选自下列群组包含：圆柱型、三角柱、四角柱、五角柱以及六角柱。

12.如权利要求8所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于形成该外管的方法包含：

形成一图案化掩模于该基底上；

以该图案化掩模和该提升强度材料层为掩模，移除部分该基底；以及

移除该图案化掩模。

13.如权利要求8所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于该第一介电层使用与该提升强度材料层相异的材料形成。

14.如权利要求13所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其中该第一介电层包含氧化硅或氮化硅。

15.如权利要求14所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于该提升强度材料层包含氧化硅或氮化硅。

16.如权利要求8所述的形成基材具有导通孔的半导体元件的方法，其特征在于该导电层包含钨或铜。