[发明专利]一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构无效
| 申请号： | 201010187380.6 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101916760A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，所述有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断，由于所述控制电路的控制作用，使得所述可控硅器件在静电泄放完毕后能及时关闭，有效地避免了可控硅器件的闩锁效应，从而避免了半导体芯片的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 避免 效应 可控硅 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
