[发明专利]一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构

权利要求书

1.一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断。

2.如权利要求1所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述可控硅器件包括P型衬底，所述P型衬底上包括N阱及P阱；所述N阱内包括第一N⁺注入区及第一P⁺注入区，所述P阱内包括第二N⁺注入区及第二P⁺注入区，所述第一N⁺注入区设置在远离P阱的一端，所述第一P⁺注入区设置在靠近P阱的一端；所述第二P⁺注入区设置在远离N阱的一端，第二N⁺注入区设置在靠近N阱的一端；所述第一N⁺注入区与所述第一P⁺注入区之间以及所述第二N⁺注入区与所述第二P⁺注入区之间均用浅沟槽隔离进行隔离，所述第一N⁺注入区及第一P⁺注入区接电学阳极，所述第二N⁺注入区及第二P⁺注入区接电学阴极。

3.如权利要求2所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述控制电路包括一NMOS管、一电阻以及一电容，所述NMOS管的漏极接电学阳极，所述NMOS管的源极接所述N阱，所述NMOS管的栅极接所述电阻的一端，所述电阻的另一端接电学阳极，且所述NMOS管的栅极与所述电容的一端相连，所述电容的另一端接电学阴极。

4.如权利要求3所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述NMOS管的源极通过一第三N⁺注入区与所述N阱相连，所述第三N⁺注入区设置在靠近P阱的一端。

5.如权利要求3所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述电阻与所述电容组成的电路的RC延时为第一时间段，所述可控硅器件的静电放电时间为第二时间段，所述第一时间段大于所述第二时间段。

6.如权利要求3所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述NMOS管的漏极与源极之间的电压小于0.7V。

7.如权利要求3所述的有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，所述电学阳极接ESD电荷注入端，所述电学阴极接地。