[发明专利]积层式晶片的制造方法与工艺调校方法

摘要

本发明是有关于一种积层式晶片的制造方法与工艺调校方法，主要是一片载板一表面涂覆一第一导电层，然后，该载板的表面涂覆一绝缘层，使该绝缘层覆盖该第一导电层，再以电子束轰击该绝缘层，使该绝缘层形成显露该第一导电层的数个孔洞，最后，该绝缘层一表面涂覆一第二导电层，使该第二导电层透过前述孔洞与该第一导电层导接。借此，能够以程式控制击发位置的电子束，省略对位的困扰及程序，进而能提升成品精度，且进一步应用于工艺调校方法中，同样可以达到简化对位程序，及节省人力与调校时间的目的。

主权项

一种积层式晶片的制造方法，其特征在于其包含下列步骤：步骤1：备置一片载板；步骤2：该载板一表面涂覆一第一导电层；步骤3：该载板的表面涂覆一绝缘层，使该绝缘层覆盖该第一导电层；步骤4：以电子束轰击该绝缘层，使该绝缘层形成显露该第一导电层的数个孔洞；及步骤5：该绝缘层一表面涂覆一第二导电层，使该第二导电层透过前述孔洞与该第一导电层导接。