[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，此方法是先提供具有彼此相对的有源表面与背面的半导体基底，且此半导体基底包括至少一个接地垫，配置于其有源表面上。接着，在半导体基底中形成至少一个硅通孔，此硅通孔自背面贯穿至有源表面，而暴露出接地垫。然后，在半导体基底的背面形成导电层，此导电层是填入硅通孔内而同时与半导体基底及接地垫电性连接。与已知的引线技术相较之下，本发明可增加单位面积的接地信号的传输密度。此外，导电层与半导体基底之间并无设置任何绝缘材料，因此半导体基底上的接地垫可以通过导电层均匀地传输接地信号至外部接地元件，进而提升本发明的半导体结构运作效能。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有有源表面与背面，其中该有源表面与该背面相对，且该半导体基底包括至少一接地垫，该接地垫配置于该有源表面上；从该背面形成至少一硅通孔于该半导体基底中，以暴露出该接地垫；以及于该半导体基底的该背面形成导电层，其中该导电层填入该硅通孔内而同时与该半导体基底及该接地垫电性连接。