[发明专利]半导体结构及其制造方法无效

申请号：	201010182999.8	申请日：	2010-05-18
公开（公告）号：	CN102254840A	公开（公告）日：	2011-11-23
发明（设计）人：	张文雄	申请（专利权）人：	宏宝科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/58
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	邱军
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构及其制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种电性接地均匀的半导体结构及其制造方法。

背景技术

在传统的半导体封装技术中，是利用引线(wire bonding)工艺将焊线电性连接于芯片上的接地垫与外部接地元件之间。而且，在高频及高功率的芯片中，每一个接地垫均需与多条焊线连接，以应付高功率的电流传输。

然而，由于各接地垫可容纳的焊线数量受限于接地垫的面积，因此在半导体元件日趋微小的今日，焊线的布局难度也随的升高。此外，若芯片上各接地垫与外部接地元件之间的距离不一致，则所使用的焊线长度亦不相同。若焊线的长度过长，将使电性有衰退之虞，并因而产生电性不匹配的现象。

是以，如何缩短芯片的接地信号传输距离以提高传输效率，实已成为目前亟欲解决的课题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种半导体结构的制造方法，以提高接地信号的传输品质。

本发明的再一目的是提供一种半导体结构，其具有均匀的接地性，并因而具有良好的运作效能。

本发明提出一种半导体结构的制造方法，其是先提供具有彼此相对的有源表面与背面的半导体基底，且此半导体基底包括至少一个接地垫，配置于其有源表面上。接着，在半导体基底中形成至少一个硅通孔，此硅通孔自背面贯穿至有源表面，而暴露出接地垫。然后，在半导体基底的背面形成导电层，此导电层填入硅通孔内而同时与半导体基底及接地垫电性连接。

在本发明的实施例中，在形成上述的硅通孔之前，还包括将半导体基底的有源表面粘着于承载板上。而且，在形成导电层之后，可将半导体基底与承载板分离。

在本发明的实施例中，上述的半导体基底还包括至少一个电源/信号垫，其配置于有源表面上。而且，再将半导体基底与承载板分离之后，还包括在半导体基底的有源表面上进行引线工艺，以使电源/信号垫与外部电路电性连接。

本发明还提出一种半导体结构，包括半导体基底以及导电层。其中，半导体基底具有彼此相对的有源表面与背面，并包括至少一个接地垫，配置于有源表面上。而且，半导体基底中具有至少一个硅通孔，自背面贯穿至有源表面而暴露出接地垫。导电层则是配置于半导体基底的背面而填入硅通孔内，以同时与接地垫及半导体基底电性连接。

在本发明的实施例中，上述的半导体基底还包括至少一个电源/信号垫，配置于有源表面上。

在本发明的实施例中，上述的电源/信号垫相对接地垫邻近半导体基底的边缘。

在本发明的实施例中，上述的导电层的材料例如是铜或铝。

本发明是先在半导体基底中形成硅通孔而暴露出接地垫，再将导电层形成在半导体基底背面，并填入硅通孔内而与接地垫电性连接。也就是说，本发明是利用TSV技术来制作接地信号的传输路径，与已知的引线技术相较之下，本发明可增加单位面积的接地信号的传输密度。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明的实施例中的半导体结构在工艺中的剖面示意图。

图2为本发明的另一实施例中的半导体结构在部分工艺中的剖面示意图。

图3为本发明的另一实施例中的半导体结构在部分工艺中的剖面示意图。