[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供半导体基底，该半导体基底具有有源表面与背面，其中该有源表面与该背面相对，且该半导体基底包括至少一接地垫，该接地垫配置于该有源表面上；

从该背面形成至少一硅通孔于该半导体基底中，以暴露出该接地垫；以及

于该半导体基底的该背面形成导电层，其中该导电层填入该硅通孔内而同时与该半导体基底及该接地垫电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在形成该硅通孔之前，还包括将该半导体基底的该有源表面粘着于承载板上。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其中在形成该导电层后，还包括将该半导体基底与该承载板分离。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中该半导体基底还包括至少一电源/信号垫，配置于该有源表面上，且在将该半导体基底与该承载板分离后，还包括对该电源/信号垫进行引线工艺。

5.一种半导体结构，包括：

半导体基底，具有有源表面、背面以及至少一硅通孔，其中该有源表面与该背面相对，且该半导体基底包括至少一接地垫，配置于该有源表面上，该硅通孔自该背面贯穿至该有源表面而暴露出该接地垫；以及

导电层，配置于该半导体基底的该背面而填入该硅通孔内，以同时与该接地垫及该半导体基底电性连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该半导体基底还包括至少一电源/信号垫，配置于该有源表面上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该电源/信号垫相对该接地垫邻近该半导体基底的边缘。

8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该导电层的材料包括铜或铝。