[发明专利]半导体晶圆及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010178231.3 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101908522A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L23/544;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体晶圆及制造半导体装置的方法，其揭露了一种应用于半导体基材的切割结构及其制造方法。其中该半导体晶圆包含设置在基材中的第一晶片、设置在基材中且与第一晶片邻接的第二晶片、及设置在第一与第二晶片间的切割道。设置第一与第二金属层于切割道之上，其中第二金属层设置在第一金属层之上。第一对准标示设置在切割道的第一部分上的第一金属层中，且第一金属特征设置在切割道的第一部分上的第二金属层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，其特征在于其包含：一第一晶片，设置在一基材中；一第二晶片，邻设在该第一晶片旁，且设置在该基材中；一切割道，设置在该第一晶片及该第二晶片之间；一第一金属层及一第二金属层，设置在该切割道之上，其中该第二金属层是设置在该第一金属层之上；一第一对准标示，设置在该切割道的一第一部分之上的该第一金属层之中；以及一第一金属特征，设置在该切割道的该第一部分之上的该第二金属层之中。
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