[发明专利]半导体晶圆及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆，其特征在于其包含：

一第一晶片，设置在一基材中；

一第二晶片，邻设在该第一晶片旁，且设置在该基材中；

一切割道，设置在该第一晶片及该第二晶片之间；

一第一金属层及一第二金属层，设置在该切割道之上，其中该第二金属层是设置在该第一金属层之上；

一第一对准标示，设置在该切割道的一第一部分之上的该第一金属层之中；以及

一第一金属特征，设置在该切割道的该第一部分之上的该第二金属层之中。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于其中所述的第一金属特征的总表面积除以该切割道的该第一部分的总表面积是20％至50％。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于一第三金属层直接设置在该第一金属层之下，且该第三金属层并未包含金属特征于该切割道的该第一部分之上。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

一第四金属层，设置在该第二金属层之上，其中该第四金属层覆盖在该切割道之上，且该第四金属层包含多个第二金属特征于该切割道的该第一部分之上。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆，其特征在于其中所述的第一金属特征是相对于该第二金属特征做横向交错。

6.根据权利要求3所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

一第四金属层，直接设置在该第三金属层之下，其中该第四金属层覆盖在该切割道之上，且该第四金属层包含多个第二金属特征于该切割道的该第一部分之上。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

一第三金属层及一第四金属层，覆盖在该切割道之上，其中该第三金属层及该第四金属层是设置在该第一金属层及该第二金属层之上，该第四金属层是直接设置在该第三金属层之上；以及

一第二对准标示，设置在该切割道的一第二部分之上的该第四金属层之中，其中该第三金属层并未包含位于该切割道的该第二部分之上金属特征，其中该第一对准标示较该第二对准标示更接近该切割道的一边缘。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

一第五金属层，覆盖在该切割道之上，其中该第五金属层是设置在该第三金属层及该第四金属层之上；以及

多个第二金属特征，设置在该切割道的该第二部分之上的该第五金属层之中。

9.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

一第五金属层、一第六金属层及一第七金属层，覆盖在该切割道之上，其中该第五金属层、该第六金属层及该第七金属层是设置该第三金属层及该第四金属层之上，该第七金属层是直接设置该第六金属层上，该第六金属层是设置在该第五金属层之上；

一第三对准标示，设置在该切割道的一第三部分之上的该第七金属层之中，其中该第六金属层并未包含位于该切割道的该第三部分之上的金属特征；以及

多个第二金属特征，设置在该切割道的该第二部分之上的该第五金属层之中。

10.根据权利要求9所述的半导体晶圆，其特征在于更包含：

多个第三金属特征，设置在该切割道的该第三部分之上的该第一金属层之中，其中该切割道的该第一部分较该切割道的该第二部分更接近该切割道的一边缘，且该切割道的该第二部分较该切割道的该第三部分更接近该切割道的该边缘。

11.一种制造半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成多个切割道及包含有主动装置的多个区域于一基材中，其中该些切割道将该些区域分隔开；

形成一第一对准标示于一第一金属层中，其中该第一金属层是位于该些切割道其中至少一个的一第一部分之上；以及

形成多个第一金属特征于一第二金属层中，其中该第二金属层是位于该些切割道的该第一部分之上，且该第二金属层是设置在该第一金属层之上。

12.根据权利要求11所述的制造半导体装置的方法，其特征在于更包含：

在形成该第一金属层之前，形成覆盖在该基材之上的一第三金属层，其中该第三金属层并未包含位于该些切割道的该第一部分之上的金属特征；以及

在形成该第三金属层之前，形成覆盖在该基材之上的一第四金属层，其中该第四金属层包含位于该些切割道的该第一部分之上的多个第二金属特征。