[发明专利]集成电路及形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201010164123.0 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866685A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路及形成集成电路的方法。集成电路包括一双端口静态随机存取存储器单元，其包括一第一半写入端口、一第二半写入端口以及一读取端口。第一半写入端口包括彼此互相内连的一第一上拉晶体管、一第一下拉晶体管以及一第一传导栅晶体管。第二半写入端口包括彼此互相内连的一第二上拉晶体管、一第二下拉晶体管以及一第二传导栅晶体管，并且第二半写入端口内连至第一半写入端口。第一传导栅晶体管以及第二传导栅晶体管的通道长度小于第一下拉晶体管以及第二下拉晶体管的通道长度。读取端口包括一读取端口下拉晶体管以及一读取端口传导栅晶体管，其中读取端口下拉晶体管连接至第一半写入端口且读取端口传导栅晶体管连接至读取端口下拉晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：一双端口静态随机存取存储器单元，包括：一第一半写入端口，其包括彼此互相内连的一第一上拉晶体管、一第一下拉晶体管以及一第一传导栅晶体管；一第二半写入端口，其包括彼此互相内连的一第二上拉晶体管、一第二下拉晶体管以及一第二传导栅晶体管，并且上述第二半写入端口内连至上述第一半写入端口，其中上述第一传导栅晶体管以及上述第二传导栅晶体管的通道长度小于上述第一下拉晶体管以及上述第二下拉晶体管的通道长度；以及一读取端口包括一读取端口下拉晶体管以及一读取端口传导栅晶体管，其中上述读取端口下拉晶体管连接至上述第一半写入端口且上述读取端口传导栅晶体管连接至上述读取端口下拉晶体管。
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