[发明专利]存储装置及封装方法无效
| 申请号： | 201010162437.7 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101916734A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吉滕德尔普拉塔普辛格;维贾伊马尔希 | 申请（专利权）人： | 莫泽巴尔印度有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 印度新德*** | 国省代码： | 印度;IN |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高封装材料与基板粘结力的封装方法，其包括在基板形成一个或多个固定孔，在至少一个固定孔内形成一层亲合材料层，及在固定孔内填充封装材料。亲合材料层与封装材料具有亲合性。因此，封装材料可黏附于亲合材料层。此外，本发明还提供一种存储装置与电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括：一个基板与至少一个电子元件，该基板具有第一表面和相对于该第一表面的第二表面，该至少一个电子元件设置在该第一表面，该至少一个电子元件具有存储数据的功能，其特征在于：该基板还具有开设于该第一表面的至少一个固定孔，该存储装置还包括一层封装材料层，该封装材料层形成在该第一表面上并填充于该至少一个固定孔，且该封装材料层还包覆该至少一个电子元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莫泽巴尔印度有限公司，未经莫泽巴尔印度有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162437.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
