[发明专利]存储装置及封装方法无效
| 申请号： | 201010162437.7 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101916734A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吉滕德尔普拉塔普辛格;维贾伊马尔希 | 申请（专利权）人： | 莫泽巴尔印度有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 印度新德*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 封装 方法 | ||
1.一种存储装置，其包括：一个基板与至少一个电子元件，该基板具有第一表面和相对于该第一表面的第二表面，该至少一个电子元件设置在该第一表面，该至少一个电子元件具有存储数据的功能，其特征在于：该基板还具有开设于该第一表面的至少一个固定孔，该存储装置还包括一层封装材料层，该封装材料层形成在该第一表面上并填充于该至少一个固定孔，且该封装材料层还包覆该至少一个电子元件。
2.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于：该至少一个固定孔为穿孔，该封装材料层同时覆盖该第二表面。
3.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于：该封装材料层的材质为环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂和聚亚氨酯之一或其组合物。
4.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于：该存储装置还包括形成在该至少一个固定孔内壁的一层亲合材料层，该亲合材料层对该封装材料层具有亲合力，该亲合材料层的材质为银、银合金、铜、铜合金、镍、镍合金、钯、金、金合金和黑色氧化物之一或其组合物。
5.如权利要求4所述的存储装置，其特征在于：该亲合材料层的厚度为0.508至1.524毫米。
6.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于：该基板包括一个扩展式印刷电路板，该扩展式印刷电路板包括至少一个导电带。
7.一种提高封装材料与基板粘结力的封装方法，其包括以下步骤：
在该基板的一个表面上形成至少一个固定孔；
在该至少一个固定孔内壁形成一层亲合材料层，该亲合材料层对该封装材料具有亲合力；以及
将该封装材料成型于该表面并填充于该至少一个固定孔，使该封装材料粘结于该亲合材料层。
8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于：在该至少一个固定孔内壁形成该亲合材料层前，还包括用等离子蚀刻方法对该至少一个固定孔内壁的表面进行预处理。
9.一种电子装置，其包括：一个基板与至少一个电子元件，该基板具有第一表面和相对于该第一表面的第二表面，该至少一个电子元件设置在该第一表面，其特征在于：该基板还具有开设于该第一表面的至少一个固定孔，该电子装置还包括一层封装材料层，该封装材料层形成在该第一表面并填充于该至少一个固定孔，且该封装材料层还包覆该至少一个电子元件。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于：该封装材料层的材质为环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂和聚亚氨酯之一或其组合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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