[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010162093.X | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101866866A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 本间琢朗;堀田胜彦;森山卓史 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：(a)半导体芯片，具有第一主表面和第二主表面；(b)在所述半导体芯片的所述第一主表面之上提供的基于铝的金属膜图案；(c)氮化钛膜，覆盖所述基于铝的金属膜图案的上表面；(d)绝缘表面保护膜，覆盖包括所述氮化钛膜的上表面的所述半导体芯片的所述第一主表面；(e)键合焊盘开口，形成于所述绝缘表面保护膜中；(f)第一开口部分，对应于键合焊盘开口形成于所述氮化钛膜中；以及(g)第二开口部分，在所述第一开口部分的附近形成于所述氮化钛膜中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
