[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

包括说明书、说明书附图和说明书摘要、于2009年4月16日提交的第2009-99689号日本专利申请的公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路器件(下文也称为半导体器件)及其制造方法、具体地涉及如下技术，该技术有效应用于涉及焊盘电极的外围区域、比如基于铝的键合焊盘的外围区域的技术。

背景技术

日本专利待审公开号2006-303452(专利文献1)或者USP-2006-0249845(专利文献2)公开一种将基于铝的键合焊盘用氮化硅膜等在其全表面(包括在其上表面的外围区域的边缘部分抗反射膜如氮化钛膜的侧面)之上覆盖以便防止基于铝的焊盘由于在焊盘部分的外部潮气等所致的单元反应所引起的洗脱的技术。

日本专利待审公开号2007-103593(专利文献3)公开一种将基于铝的键合焊盘用氮化硅膜等在其全表面(包括在其上表面的外围区域的边缘部分抗反射膜如氮化钛膜的侧面)之上覆盖以便防止基于铝的焊盘由于在焊盘部分的潮气等所致的局部单元影响所引起的洗脱的技术。

发明内容

在LSI或者半导体集成电路器件的当前制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。

已经完善本发明以解决这些问题。

本发明已经鉴于上述境况孕育而出并且提供一种用于制造高度可靠的半导体集成电路器件的工艺。

本发明的其它目的和新特征将从本说明书和附图的描述中变得清楚。

下文简要地说明在本申请中公开的本发明之中的典型发明的概况。

本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。

下文简要地说明在本申请中公开的本发明之中的典型发明所取得的效果。

在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜，由此防止钛氧化的影响向焊盘以外传播。

附图说明

图1是图示了实施例1的半导体集成电路器件的芯片(第一主表面)以内的布局的示意平面图(同样适用于实施例2至5)；

图2图示了密封有图1中的芯片的BGA封装的正视横截面图；

图3图示了在本申请的实施例1的半导体集成电路器件的芯片(第一主表面)以内的布局中与焊盘的外围区域中的放大部分R对应的键合焊盘部分的外围区域的放大平面图；

图4图示了给定在与图3对应的部分在接线键合之后的状态时键合焊盘部分的外围区域的放大平面图；

图5图示了图3中的X-X’截面的芯片横截面图；

图6图示了图3中的Y-Y’截面的芯片横截面图；

图7图示了在制造本申请的实施例1的半导体集成电路器件的方法中与图3中的X-X’截面对应的器件横截面流程图(形成辅助绝缘膜的步骤)；

图8图示了在制造本申请的实施例1的半导体集成电路器件的方法中与图3中的X-X’截面对应的器件横截面流程图(形成用于图案化氮化钛膜去除部分的抗蚀剂膜的步骤)；

图9图示了在制造本申请的实施例1的半导体集成电路器件的方法中与图3中的X-X’截面对应的器件横截面流程图(形成氮化钛膜去除部分的步骤)；

图10图示了在制造本申请的实施例1的半导体集成电路器件的方法中与图3中的X-X’截面对应的器件横截面流程图(形成绝缘表面保护膜的步骤)；

图11图示了在制造本申请的实施例1的半导体集成电路器件的方法中与图3中的X-X’截面对应的器件横截面流程图(形成焊盘开口的步骤)；

图12图示了在本申请的实施例2的半导体集成电路器件的芯片(第一主表面)以内的布局中与焊盘的外围区域中的放大部分R对应的键合焊盘部分的外围区域的放大平面图；

图13图示了图12中的X-X’截面的芯片横截面图；

图14图示了图12中的A-A’截面的芯片横截面图；

图15图示了图12中的Y-Y’截面的芯片横截面图；