[发明专利]宽带隙半导体器件

摘要

本发明的目的是通过将WBG半导体用作逆变器电路的开关元件来获得具有高可靠性和高负载短路耐受能力同时保持低导通电阻的半导体器件。在应用于逆变器电路的开关元件的半导体器件中，半导体材料的带隙比硅的带隙宽，设置了在主晶体管短路时限制电流的电路，而且主要用于让电流通过的主晶体管、并联连接至主晶体管并检测与流过主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于感测晶体管的输出来控制主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。

主权项

一种应用于逆变器电路的开关元件的宽带隙半导体器件，其特征在于：半导体材料的带隙比硅的带隙宽，所述宽带隙半导体器件具有当主晶体管短路时限制电流的电路，以及主要用于让电流通过的所述主晶体管、并联连接至所述主晶体管并检测与流过所述主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于所述感测晶体管的输出来控制所述主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。