[发明专利]宽带隙半导体器件有效
| 申请号： | 201010150674.1 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101877529A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 上野胜典 | 申请（专利权）人： | 富士电机系统株式会社 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体器件 | ||
1.一种应用于逆变器电路的开关元件的宽带隙半导体器件，其特征在于：
半导体材料的带隙比硅的带隙宽，
所述宽带隙半导体器件具有当主晶体管短路时限制电流的电路，以及
主要用于让电流通过的所述主晶体管、并联连接至所述主晶体管并检测与流过所述主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于所述感测晶体管的输出来控制所述主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。
2.如权利要求1所述的宽带隙半导体器件，其特征在于，在所述主晶体管和所述感测晶体管中，栅极结构形成在沟槽中，且p阱的表面浓度被设置成低于其预定深度处的浓度。
3.如权利要求1所述的宽带隙半导体器件，其特征在于，在所述主晶体管和所述感测晶体管中，栅极结构是平面结构，且所述横向MOSFET的阈值被设置成低于所述主晶体管和感测晶体管的阈值。
4.一种应用于逆变器电路的开关元件的宽带隙半导体器件，其特征在于：
半导体材料的带隙比硅的带隙宽，
所述宽带隙半导体器件具有当主晶体管短路时限制电流的电路，以及
主要用于让电流通过的所述主晶体管、并联连接至所述主晶体管并检测与流过所述主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于所述感测晶体管的输出来控制所述主晶体管的栅极的横向耗尽型MOSFET形成在同一半导体上。
5.如权利要求4所述的宽带隙半导体器件，其特征在于，在所述主晶体管和所述感测晶体管中，栅极结构形成在沟槽中。
6.如权利要求4所述的宽带隙半导体器件，其特征在于，在所述主晶体管和所述感测晶体管中，栅极结构是平面结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机系统株式会社，未经富士电机系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010150674.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接器盖和携带型电子装置
- 下一篇：可自动开关的电磁笔
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
