[发明专利]光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法有效
| 申请号： | 201010148960.4 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101846876A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 渡边聪;金子英雄;小板桥龙二;五十岚慎一;河合义夫;白井省三 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/08;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 坯料 加工 方法 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种光掩模坯料(blank)，它包括透明基底，在其上形成的膜，该膜包含包括由铬基础材料组成的最外层的一层或更多层，和当干蚀时，在最外层上充当掩模的蚀刻掩模膜，由硅氧化物基础材料成膜组合物沉积所述蚀刻掩模膜，所述硅氧化物基础材料成膜组合物包括：(A)可水解硅烷化合物的水解缩合物，(B)具有通式(1)或(2)的化合物：LaHbX (1)其中L是锂、钠、钾、铷或铯，X是羟基或1-30个碳原子的单-或多官能的有机酸基，a是至少为1的整数，b为0或至少为1的整数，和a+b等于羟基或有机酸基的官能度，MA (2)其中M是叔锍、仲碘鎓或季铵，和A是非亲核的抗衡离子；和(C)有机溶剂，所述蚀刻掩模膜的厚度为1-10纳米。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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