[发明专利]光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料(blank)，它包括透明基底，在其上形成的膜，该膜包含包括由铬基础材料组成的最外层的一层或更多层，和当干蚀时，在最外层上充当掩模的蚀刻掩模膜，

由硅氧化物基础材料成膜组合物沉积所述蚀刻掩模膜，所述硅氧化物基础材料成膜组合物包括：

(A)可水解硅烷化合物的水解缩合物，

(B)具有通式(1)或(2)的化合物：

L_aH_bX    (1)

其中L是锂、钠、钾、铷或铯，X是羟基或1-30个碳原子的单-或多官能的有机酸基，a是至少为1的整数，b为0或至少为1的整数，和a+b等于羟基或有机酸基的官能度，

MA    (2)

其中M是叔锍、仲碘鎓或季铵，和A是非亲核的抗衡离子；

和(C)有机溶剂，

所述蚀刻掩模膜的厚度为1-10纳米。

2.权利要求1的光掩模坯料，其中可水解的硅烷化合物是单独具有通式(3)的可水解硅烷化合物，或两种或更多种可水解硅烷化合物的混合物，所述混合物含有以硅为基础，至少70％式(3)的可水解硅烷化合物，

R_nSiX_4-n       (3)

其中R是氢或1-12个碳原子的脂族烃基，或者芳烃基，X是1-4个碳原子的烷氧基、卤素原子或2-5个碳原子的烷基羰氧基，和n为0或1。

3.加工权利要求1的光掩模坯料的方法，该方法包括下述步骤：

在光掩模坯料上形成抗蚀剂图案，

在光掩模坯料上通过抗蚀剂图案进行氟干蚀，用以转印抗蚀剂图案到蚀刻掩模膜上，和

通过如此转印的蚀刻掩模膜图案，在光掩模坯料上进行氯干刻蚀用以转印该图案到铬基础材料的最外层上。

4.在透明基底上形成的膜的蚀刻方法，该膜包含包括由铬基础材料组成的最外层的一层或更多层，所述方法包括使用硅氧化物基础材料膜作为蚀刻掩模的氯干刻蚀，

由成膜组合物沉积所述硅氧化物基础材料膜，所述成膜组合物包括：

(A)可水解的硅烷化合物的水解缩合物，

(B)具有通式(1)或(2)的化合物：

L_aH_bX    (1)

其中L是锂、钠、钾、铷或铯，X是羟基或1-30个碳原子的单-或多官能的有机酸基，a是至少为1的整数，b为0或至少为1的整数，和a+b等于羟基或有机酸基的官能度，

MA    (2)

其中M是叔锍、仲碘鎓或季铵，和A是非亲核的抗衡离子；

和(C)有机溶剂，

所述硅氧化物基础材料膜的厚度为1-10纳米。

5.权利要求4的方法，其中可水解的硅烷化合物是单独的具有通式(3)的可水解硅烷化合物，或两种或更多种可水解硅烷化合物的混合物，所述混合物含有以硅为基础，至少70％式(3)的可水解硅烷化合物，

R_nSiX_4-n       (3)

其中R是氢或1-12个碳原子的脂族烃基，或者芳烃基，X是1-4个碳原子的烷氧基、卤素原子或2-5个碳原子的烷基羰氧基，和n为0或1。