[发明专利]半导体发光器件、其组件制造方法以及电子设备无效

专利信息
申请号: 201010146810.X 申请日: 2010-04-01
公开(公告)号: CN101859730A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 小林新 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/782 分类号: H01L21/782;H01L27/15;G09G3/32
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了半导体发光器件、其组件制造方法以及电子设备,其中该半导体发光器件组件的制造方法包括以下步骤:在发光器件制造基板上设置互相分离的发光器件部,每个发光器件部都包括层压结构和第二电极,在层压结构中依次层压第一化合物半导体层、活性层、以及第二化合物半导体层,并且第二电极设置在所述第二化合物半导体层上;在整个表面上形成绝缘层,使绝缘层具有暴露出第二电极的顶面中央部的开口部;对每个发光器件部设置引出电极,使引出电极被图案化为从第二电极的顶面延伸至绝缘层的图案;并且形成粘合层以覆盖整个表面,并使用粘合层结合支撑基板。
搜索关键词: 半导体 发光 器件 组件 制造 方法 以及 电子设备
【主权项】:
一种半导体发光器件组件的制造方法,包括以下步骤:(A)在发光器件制造基板上设置互相分离的多个发光器件部,所述多个发光器件部的每个都包括层压结构和第二电极,在所述层压结构中,依次层压具有第一导电型的第一化合物半导体层、活性层、以及具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层,并且所述第二电极设置在所述第二化合物半导体层上;(B)在其整个表面上形成绝缘层,使所述绝缘层具有暴露出每个发光器件部的所述第二电极的顶面中央部的开口部;(C)对每个发光器件部设置引出电极,使所述引出电极被图案化为从由所述开口部的底部所暴露出的所述第二电极的顶面延伸至所述绝缘层;以及(D)形成粘合层,使所述粘合层覆盖其整个表面,并且使用所述粘合层接合支撑基板,其中,在所述步骤(D)中,在所述引出电极上直接形成暴露出所述引出电极的一部分的所述粘合层。
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