[发明专利]半导体发光器件、其组件制造方法以及电子设备

说明书

相关申请的参考

本发明包含于2009年4月8日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2009-093683所披露的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件组件的制造方法、半导体发光器件、电子设备以及图像显示装置。

背景技术

已存在通过将微型设备安装在用于显示装置的基板上而制造的各种电子设备。这样的电子设备的一个实例就是发光二极管显示装置。在这样的发光二极管显示装置中，红色发光二极管用作红色发光子像素，绿色发光二极管用作绿色发光子像素，并且蓝色发光二极管用作蓝色发光子像素。发光二极管显示装置根据三种类型子像素的发光状态来显示彩色图像。

发光二极管显示装置通常包括沿第一方向延伸的多条第一配线、沿与第一方向不同的第二方向延伸的多条第二配线、以及均连接至第一连接部和第二连接部的多个发光二极管。将发光二极管设置在第一配线和第二配线互相重叠的区域中。每个发光二极管的第一连接部连接至第一配线，并且每个发光二极管的第二连接部连接至第二配线。

例如，在40英寸对角线全HD(高清晰)全色显示器中，画面水平方向上的像素数为1920，并且画面垂直方向上的像素数为1080。因此，在这种情况下，安装的发光二极管数为1920×1080×(三种类型的发光二极管数，即形成一个像素所需的红色发光二极管、绿色发光二极管、以及蓝色发光二极管的数量)，即，约6,000,000。因此，使用已知的分步转移(分步安装法)作为将如此巨大数量的发光二极管安装在具有标称的40英寸对角线显示器的显示基板上的方法。在这分步转移法中，以阵列方式形成发光二极管，以便使阵列具有小于画面尺寸的尺寸，并且在调节发光二极管位置的同时，将发光二极管依次从发光二极管阵列转移安装到显示基板上。例如，在JP-A-2004-273596和JP-A-2004-281630中披露了转移方法的实例。

通常，在发光器件制造基板上以阵列形式形成多个发光二极管部510A。然后，将每个发光二极管部510A从发光器件制造基板移动(例如，转移)至显示基板。如图29的示意性的部分截面图所示，在发光器件制造基板上形成的每个发光器件部510A包括依次形成的n导电型的第一化合物半导体层511、活性层513、以及具有p导电型的第二化合物半导体层512。此外，p侧电极515设置在第二化合物半导体层512上，并且n侧电极设置在第一化合物半导体层511上。图29中所示的结构为形成n侧电极以前的在先步骤的结构。这里，参考标号519表示发光器件制造基板，并且参考标号520表示用于分步转移法(分步安装法)的支撑基板。此外，在设置在相邻的发光器件部510A之间的发光器件制造基板519的一部分上形成绝缘层517，并且在每个发光器件部510A中设置从p侧电极515的顶面延伸至绝缘层517的引出电极516。此外，为了在分步转移法(分步安装法)中实现与第二配线(未示出)的电连接，在引出电极516上形成铜镀层530。另外，设置在相邻铜镀层530之间的绝缘层517的一部分上形成粘合层518，从而实现与支撑基板520的结合。

发明内容

这里，在绝缘层517的上部，铜镀层530的厚度约为2μm。因此，在设置在相邻的铜镀层530之间的绝缘层517的部分上形成的粘合层518也具有约2μm以上的厚度。当支撑基板520以这种状态结合时，粘合层518随着粘合层518的固化而收缩，因此，在发光器件部510A中产生应力(见图29中的空箭头)。结果，在最终得到的发光二极管中可产生诸如驱动电压升高或光功率下降的特性劣化。

因此，期望提供一种半导体光学设备组件的制造方法、半导体发光器件、电子设备以及图像显示装置，其中，即使当将构成半导体发光器件的发光器件部在其上形成的发光器件制造基板结合至另一块基板时，在发光器件部中也几乎不产生应力。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种半导体发光器件组件的制造方法，包括以下步骤：

(A)在发光器件制造基板上设置互相分离的多个发光器件部，多个发光器件部中的每个都包括层压结构和第二电极，在层压结构中，依次层压具有第一导电型的第一化合物半导体层、活性层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，并且第二电极设置在第二化合物半导体层上；

(B)在整个表面上形成绝缘层，使绝缘层具有暴露出每个发光器件部的第二电极的顶面中央部的开口部；

(C)对每个发光器件部设置引出电极，使引出电极被图案化为从由开口部的底部暴露出的第二电极的顶面延伸至绝缘层；以及