[发明专利]半导体发光器件、其组件制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体发光器件组件的制造方法，包括以下步骤：

(A)在发光器件制造基板上设置互相分离的多个发光器件部，所述多个发光器件部的每个都包括层压结构和第二电极，在所述层压结构中，依次层压具有第一导电型的第一化合物半导体层、活性层、以及具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，并且所述第二电极设置在所述第二化合物半导体层上；

(B)在其整个表面上形成绝缘层，使所述绝缘层具有暴露出每个发光器件部的所述第二电极的顶面中央部的开口部；

(C)对每个发光器件部设置引出电极，使所述引出电极被图案化为从由所述开口部的底部所暴露出的所述第二电极的顶面延伸至所述绝缘层；以及

(D)形成粘合层，使所述粘合层覆盖其整个表面，并且使用所述粘合层接合支撑基板，

其中，在所述步骤(D)中，在所述引出电极上直接形成暴露出所述引出电极的一部分的所述粘合层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件组件的制造方法，其中，在所述步骤(B)中形成的所述绝缘层的所述开口部的平面形状为矩形。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件组件的制造方法，其中，在所述步骤(C)中，通过物理气相沉积法在所述绝缘层上形成引出电极层使得所述引出电极层从由所述开口部的底部暴露出的所述第二电极的顶面延伸出、然后对所述引出电极层进行图案化，从而将图案化的引出电极设置至所述每个发光器件部。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件组件的制造方法，其中，在所述第二电极的顶面上的所述引出电极的平均厚度为0.1μm至1μm。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件组件的制造方法，其中，在每个发光器件部的外周部上的所述粘合层的最大厚度tmax为1.5μm以下。

6.一种半导体发光器件，包括：

(a)发光器件部，包括层压结构和第二电极，在所述层压结构中，依次层压具有第一导电型的第一化合物半导体层、活性层、以及具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，并且所述第二电极设置在所述第二化合物半导体层上；

(b)绝缘层，覆盖所述发光器件部的侧面和所述第二化合物半导体层的顶面周围部，并且具有暴露出所述第二电极的顶面中央部的开口部；

(c)引出电极，形成在所述绝缘层上，使所述引出电极从暴露出的所述第二电极的顶面延伸至所述绝缘层；以及

(d)第一电极，电连接至所述第一化合物半导体层，

其中，在所述引出电极的一部分上直接形成由粘合剂构成的第二绝缘层，并且在所述引出电极的其余部分上未形成所述第二绝缘层。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述第二化合物半导体层的平面形状和所述绝缘层的所述开口部的平面形状为矩形。

8.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，在所述第二电极的顶面上的所述引出电极的平均厚度为0.1μm至1μm。

9.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，在所述半导体发光器件的外周部上的所述第二绝缘层的最大厚度tmax为1.5μm以下。

10.一种半导体发光器件，包括：

(a)发光器件部，包括层压结构和第二电极，在所述层压结构中，依次层压具有第一导电型的第一化合物半导体层、活性层、以及具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，并且所述第二电极设置在所述第二化合物半导体层上；

(b)绝缘层，覆盖所述发光器件部的侧面和所述第二化合物半导体层的顶面周围部，并且具有暴露出所述第二电极的顶面中央部的开口部；

(c)引出电极，形成在所述绝缘层上，使所述引出电极从暴露出的所述第二电极的顶面延伸至所述绝缘层；以及

(d)第一电极，电连接至所述第一化合物半导体层，

其中，所述第二化合物半导体层的平面形状和所述绝缘层的所述开口部的平面形状都为矩形。