[发明专利]一种片状ZnSe荧光纳米单晶的合成方法

摘要

本发明属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种片状ZnSe荧光纳米单晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于三辛基膦中得到Se前体；将锌源体溶于十八烯中，在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理；然后引入模板剂长链烷基硫醇对已活化的Zn前体进行“模板化”处理，最后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到片状ZnSe荧光纳米单晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物片状ZnSe荧光纳米单晶的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，环境污染小，结晶度好，荧光量子产率高的优点。

主权项

一种片状ZnSe荧光纳米单晶的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)首先将Se，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体；(2)将锌源体溶于十八烯中得到Zn前体，然后在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理；(3)在惰性气体保护下，将模板剂长链烷基硫醇加入到已活化的Zn前体中，然后对其进行“模板化”处理。(4)继续在惰性气体保护下，将“模板化”的Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到“模板化”的Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。(5)纳米晶开始生长后，当反应时间达到1-3小时，停止加热，结束反应。得到的为片状ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。(6)分离纯化，即向片状ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物片状ZnSe纳米晶的透明溶液。