[发明专利]深N阱工艺去除光刻胶的方法有效
| 申请号： | 201010131833.3 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102193344A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 樊强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深N阱工艺去除光刻胶的方法，包括以下步骤：对晶圆表面进行灰化处理，灰化处理包括：控制晶圆表面的灰化温度，使晶圆表面保持低于285℃的灰化温度，对光刻胶进行清洗处理，清除经清洗处理后的光刻胶残渣。根据本发明的深N阱工艺去除光刻胶的方法可以有效解决现有技术深N阱工艺的光刻胶去除工艺环节无法完全清除深N阱工艺晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣的问题，提高深N阱工艺制造的半导体器件的一致性，可以有效提高深N阱工艺制造的半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 去除 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对晶圆表面进行灰化处理，所述灰化处理包括：控制所述晶圆表面的灰化温度，使所述晶圆表面保持低于285℃的灰化温度；对光刻胶进行清洗处理；清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。
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