[发明专利]深N阱工艺去除光刻胶的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种深N阱工艺去除光刻胶的方法。

背景技术

在半导体制造工艺过程中，由于采用深N阱(Deep N Well)工艺可以有效地抑制噪声传播，因此在半导体制造领域广泛应用深N阱工艺制造低噪声半导体器件。

在采用深N阱工艺进行半导体器件制造的过程中，需要去除掩膜环节所引入的光刻胶。在清洗晶圆表面的光刻胶之前，需要对晶圆表面的光刻胶进行灰化处理来使光刻胶易于清洗。由于灰化温度直接影响光刻胶的粘稠度，当灰化温度低时，光刻胶就会很粘稠，这样就增大了污染制造环境的可能。而当灰化温度高时，光刻胶在晶圆表面的附着能力就会增强，这样就增大了通过清洗环节去除晶圆表面光刻胶的难度。

现有技术为了防止光刻胶污染制造环境，往往采用较高的灰化温度，这样也就相应增大了通过清洗环节去除晶圆表面光刻胶的难度。同时，光刻胶去除能力与光刻胶的厚度和附着能力有关，由于深N阱工艺采用了较厚的光刻胶，并且现有技术的灰化温度较高，因此采用现有技术进行去除光刻胶时，晶圆表面会有光刻胶残渣残留，并且这些残留的微小的光刻胶残渣的附着力也相对较强。这些残留的顽固的微小的光刻胶残渣会影响深N阱工艺的其他工艺环节，并且会影响所制造的半导体器件的一致性，去除光刻胶后晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣越多，半导体器件的一致性就越低。同时，去除光刻胶后晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣会给所制造的半导体器件带来器件散点问题。

图1A是现有技术的65纳米深N阱工艺中去除光刻胶后晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣的示意图。如图1A所示，其中，采用现有技术进行去除光刻胶处理后的半导体器件101A、102A和103A上均残留有微小的光刻胶残渣101。由图1A可以看出，对于采用较厚光刻胶的深N阱工艺来说，随着半导体器件上残留的光刻胶残渣101的增加，半导体器件的一致性就开始降低，残留的光刻胶残渣101最多的半导体器件101A的一致性最低。

图1B是现有技术深N阱工艺光刻处理的流程图。如图1B所示，深N阱工艺光刻处理分为以下步骤：步骤101B光刻、步骤102B离子注入、步骤103B晶圆表面灰化、步骤104B光刻胶清洗、步骤105B工艺效果检验。由于深N阱工艺选用的光刻胶较厚，因此现有技术深N阱工艺的光刻胶去除的步骤103B和步骤104B中存在一定的缺陷，导致采用现有技术进行去除光刻胶处理的光刻胶去除效果不佳，会有顽固的微小的光刻胶残渣残留在深N阱工艺制造的晶圆表面，进而影响深N阱工艺的其他工艺环节，并且会影响深N阱工艺制造的半导体器件的一致性，给深N阱工艺制造的半导体器件带来器件散点问题。

因此，提高深N阱工艺的光刻胶去除能力成为亟待解决的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为解决现有技术深N阱工艺的光刻胶去除工艺环节无法完全清除深N阱工艺晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣的问题，提高深N阱工艺制造的半导体器件的一致性，本发明提供了一种深N阱工艺去除光刻胶的方法，所述深N阱工艺去除光刻胶的方法包括以下步骤：

对晶圆表面进行灰化处理，

所述灰化处理包括：控制所述晶圆表面的灰化温度，使所述晶圆表面保持低于285℃的灰化温度；

对光刻胶进行清洗处理；

清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

进一步的，所述灰化处理还包括：向灰化处理室中充入氧气，或氧气和氮气的混合气体来产生相应的等离子体。

进一步的，所述控制所述晶圆表面的灰化温度包括：

保持加热板的加热温度为285℃，控制晶圆夹具和所述加热板的位置，或控所述制晶圆夹具和所述加热板的位置并改变所述加热板的加热温度。

进一步的，所述控制所述晶圆夹具和所述加热板的位置包括：使所述晶圆夹具升降并同时使所述加热板下降，所述晶圆夹具升降包括：

将所述晶圆夹具由距离所述加热板最近的位置上升至所述晶圆夹具可动距离的40％至50％处，

将所述晶圆夹具复位；

所述加热板下降包括：

将所述加热板下降至机台允许的最大位置处，当所述加热板下降至所述机台允许的最大位置处后保持固定；

在所述控所述制晶圆夹具和所述加热板的位置的过程中，所述晶圆夹具与所述加热板间的最大距离为5厘米。