[发明专利]深N阱工艺去除光刻胶的方法

权利要求书

1.一种深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

对晶圆表面进行灰化处理，

所述灰化处理包括：控制所述晶圆表面的灰化温度，使所述晶圆表面保持低于285℃的灰化温度；

对光刻胶进行清洗处理；

清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

2.根据权利要求1所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述灰化处理还包括：向灰化处理室中充入氧气，或氧气和氮气的混合气体来产生相应的等离子体。

3.根据权利要求1所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述控制所述晶圆表面的灰化温度包括：

保持加热板的加热温度为285℃，控制晶圆夹具和所述加热板的位置，或控所述制晶圆夹具和所述加热板的位置并改变所述加热板的加热温度。

4.根据权利要求3所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述控制所述晶圆夹具和所述加热板的位置包括：使所述晶圆夹具升降并同时使所述加热板下降，所述晶圆夹具升降包括：

将所述晶圆夹具由距离所述加热板最近的位置上升至所述晶圆夹具可动距离的40％至50％处，

将所述晶圆夹具复位；

所述加热板下降包括：

将所述加热板下降至机台允许的最大位置处，当所述加热板下降至所述机台允许的最大位置处后保持固定；

在所述控所述制晶圆夹具和所述加热板的位置的过程中，所述晶圆夹具与所述加热板间的最大距离为5厘米。

5.根据权利要求4所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述晶圆夹具在所述晶圆夹具可动距离的40％至50％处保持30至50秒，所述晶圆夹具在复位位置保持5至15秒。

6.根据权利要求1所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述对光刻胶进行清洗处理包括：

在第一清洗槽中使用H₂SO₄和H₂O₂混合溶液清洗4～6分钟，

在第二清洗槽中使用所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液清洗4～6分钟；

所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液的体积比例为：

H₂SO₄(98wt％)∶H₂O₂(30wt％)＝5∶1，

所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液的温度为120℃至130℃。

7.根据权利要求1所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣包括：

使用NH₄OH和H₂O₂混合溶液清除所述光刻胶残渣，

所述NH₄OH和H₂O₂混合溶液的体积比例为：

NH₄OH(29wt％)∶H₂O₂(30wt％)∶H₂O(蒸馏水)＝1∶2∶50，

所述NH₄OH和H₂O₂混合溶液的温度为20℃至50℃，

所述NH₄OH和H₂O₂混合溶液进行清除处理的时间为5至15分钟。

8.根据权利要求7所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于：

所述NH₄OH和H₂O₂混合溶液的温度为35℃，

所述NH₄OH和H₂O₂混合溶液进行清除处理的时间为10分钟。

9.根据权利要求7所述的深N阱工艺去除光刻胶的方法，其特征在于，所述清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣还包括：

在所述清除过程中使用超声波对晶圆加震，所述超声波的功率为300W至800W。