[发明专利]测量LTE移动终端的邻道泄露比的系统及方法无效

专利信息
申请号: 201010131041.6 申请日: 2010-03-22
公开(公告)号: CN102201874A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 黄旭;彭宏利 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04B17/00 分类号: H04B17/00;H04W24/06
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;蒋雅洁
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种测量LTE移动终端的邻道泄漏比(ACLR)的系统及方法,本发明通过现有LTE基站或系统模拟器,及衰落信道模拟器,有效方便地实现了测量LTE移动终端高速移动产生多普勒(Doppler)效应时的ACLR,在高速运动条件下,很好地衡量了LTE移动终端的工作性能,从而有助于提高LTE系统的性能。本发明系统具有环境要求低,易测试,简便易行的优点,与现有设备接口完全兼容且具有通用性。
搜索关键词: 测量 lte 移动 终端 泄露 系统 方法
【主权项】:
一种测量长期演进(LTE)移动终端的邻道泄漏比的系统,其特征在于,主要包括LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,衰落信道模拟器、双工器和LTE移动终端,该系统置于与外界无线电屏蔽的电磁屏蔽室中,其中,LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,用于模拟LTE基站或LTE系统环境,在下行方向与衰落信道模拟器连接,上行方向直接与双工器连接;衰落信道模拟器,用于模拟信道衰落,连接在LTE基站模拟器与双工器之间的下行方向上;LTE移动终端与双工器连接;通过设置衰落信道模拟器的多普勒(Doppler)频移的扫描幅度、扫描周期,以及设置LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,和LTE移动终端的信道参数,测量LTE移动终端的邻道泄漏比(ACLR)。
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