[发明专利]测量LTE移动终端的邻道泄露比的系统及方法无效

专利信息
申请号: 201010131041.6 申请日: 2010-03-22
公开(公告)号: CN102201874A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 黄旭;彭宏利 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04B17/00 分类号: H04B17/00;H04W24/06
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;蒋雅洁
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 测量 lte 移动 终端 泄露 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种测量长期演进(LTE)移动终端的邻道泄漏比的系统,其特征在于,主要包括LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,衰落信道模拟器、双工器和LTE移动终端,该系统置于与外界无线电屏蔽的电磁屏蔽室中,其中,

LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,用于模拟LTE基站或LTE系统环境,在下行方向与衰落信道模拟器连接,上行方向直接与双工器连接;

衰落信道模拟器,用于模拟信道衰落,连接在LTE基站模拟器与双工器之间的下行方向上;

LTE移动终端与双工器连接;

通过设置衰落信道模拟器的多普勒(Doppler)频移的扫描幅度、扫描周期,以及设置LTE基站模拟器或LTE系统模拟器,和LTE移动终端的信道参数,测量LTE移动终端的邻道泄漏比(ACLR)。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述LTE基站模拟器或LTE系统模拟器、衰落信道模拟器和LTE移动终端之间通过低损耗电缆相连接。

3.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述电池屏蔽室使用的频段覆盖LTE移动终端的工作频段。

4.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述衰落信道模拟器包括Doppler信道模拟器;

Doppler信道模拟器主要包括上变频器、下变频器、Doppler信号发生器、混频器及射频(RF)本振源。

5.根据权利要求4所述的系统,其特征在于,所述衰落信道模拟器的输入信号频率fin、输入信号功率pin及输出信号频率fout、输出信号功率pout及Doppler信号频率fd满足如下的条件:

输出信号频率fout=输入信号频率fin+Doppler信号频率fd

输出信号功率pout=输入信号功率pin

6.一种测量LTE移动终端的邻道泄漏比的方法,在权利要求1所述的系统中,其特征在于,该方法包括:

A.将所述LTE移动终端置于与外界无线电屏蔽的电磁屏蔽室中,使LTE移动终端和LTE基站模拟器或系统模拟器之间,通过串接衰落信道模拟器建立正常的无线链路,并且使LTE移动终端处于ACLR的待测量状态;

B.测量所述LTE移动终端在上述环境和条件下的ACLR。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤A具体包括:

所述LTE基站模拟器或LTE系统模拟器、衰落信道模拟器和LTE移动终端之间通过低损耗电缆相连接;

设置所述衰落信道模拟器的Doppler频移的扫描幅度为零;设置LTE基站模拟器或LTE系统模拟器以及所述LTE移动终端的信道参数,测量此时所述LTE移动终端的ACLR;

调节所述衰落信道模拟器的Doppler频移的扫描周期,扫描幅度,测量此时所述LTE移动终端的误比特率。

8.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:在待测信道上,调节所述衰落信道模拟器的Doppler频移扫描幅度,保持所述扫描周期不变,测量此时所述LTE移动终端的误比特率为预设值时的ACLR。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述待测信道为专用传输信道(DCH)。

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