[发明专利]测量LTE移动终端的邻道泄露比的系统及方法

说明书

技术领域

本发明涉及技术长期演进(LTE，Long Term Evolution)技术，尤其涉及一种在高速运动条件下，测量LTE移动终端的邻道泄漏比(ACLR，AdjacentChannel Leak Ratio)的系统及方法。

背景技术

蜂窝移动网、无线局域网以及广播电视网通信技术的快速发展，刺激了人们使用在基于上述通信网技术的移动终端上，在任何应用环境中，观看移动业务内容的需求。

目前，在商用的蜂窝移动终端技术中，考虑的应用环境均为低速场景即移动终端相对其基站的运动速度小于200km/S。但是，随着时速超过200km/S的高速列车不断投入商用，开发满足高速列车环境的LTE移动终端技术越来越成为一个急需解决的关键技术问题。解决该项技术的一个首要条件，是要形成能表征、测试和验证该项技术的建模方法、验证方法和测试方法，以便能为解决该技术提供系统仿真和设计、性能评价和验证、故障检测和定位的基本手段以及提供技术优化的基础。

由于高速环境下将产生多普勒频移扩展，导致信号频谱将额外泄漏到邻近信道，因此，高速运动场景与ACLR参数密切相关。同时，由于LTE系统所采用的多址技术是单载波正交频分复用多址(SC-OFDMA)技术，属于窄带调制(一个子载波为15Khz)，其对频率误差特别敏感，这样，在高速场景下LTE移动终端的这种频率泄漏将会严重影响其它用户的使用，带来多址干扰，进而影响系统容量。因此，在高速场景下(受到较大频偏的影响)测量ACLR能够全面的衡量LTE移动终端的工作性能，提供一个有力的LTE移动终端性能评价指标。

目前，针对高速运行环境，没有提供测量LTE移动终端的ACLR参数的具体实现方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种测量LTE移动终端的邻道泄漏比的系统及方法，能够在高速运动条件下，很好地衡量LTE移动终端的工作性能，从而为移动终端的设计提供参考，有助于提高LTE系统的性能。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种测量长期演进(LTE)移动终端的邻道泄漏比的系统，主要包括LTE基站模拟器或LTE系统模拟器，衰落信道模拟器、双工器和LTE移动终端，该系统置于与外界无线电屏蔽的电磁屏蔽室中，其中，

LTE基站模拟器或LTE系统模拟器，用于模拟LTE基站或LTE系统环境，在下行方向与衰落信道模拟器连接，上行方向直接与双工器连接；

衰落信道模拟器，用于模拟信道衰落，连接在LTE基站模拟器与双工器之间的下行方向上；

LTE移动终端与双工器连接；

通过设置衰落信道模拟器的多普勒(Doppler)频移的扫描幅度、扫描周期，以及设置LTE基站模拟器或LTE系统模拟器，和LTE移动终端的信道参数，测量LTE移动终端的邻道泄漏比(ACLR)。

所述LTE基站模拟器或LTE系统模拟器、衰落信道模拟器和LTE移动终端之间通过低损耗电缆相连接。

所述电池屏蔽室使用的频段覆盖LTE移动终端的工作频段。

所述衰落信道模拟器包括Doppler信道模拟器；

Doppler信道模拟器主要包括上变频器、下变频器、Doppler信号发生器、混频器及射频(RF)本振源。

所述衰落信道模拟器的输入信号频率f_in、输入信号功率p_in及输出信号频率f_out、输出信号功率p_out及Doppler信号频率f_d满足如下的条件：

输出信号频率f_out＝输入信号频率f_in+Doppler信号频率f_d；

输出信号功率p_out＝输入信号功率p_in。

一种测量LTE移动终端的邻道泄漏比的方法，在权利要求1所述的系统中，该方法包括：

A.将所述LTE移动终端置于与外界无线电屏蔽的电磁屏蔽室中，使LTE移动终端和LTE基站模拟器或系统模拟器之间，通过串接衰落信道模拟器建立正常的无线链路，并且使LTE移动终端处于ACLR的待测量状态；

B.测量所述LTE移动终端在上述环境和条件下的ACLR。

所述步骤A具体包括：

所述LTE基站模拟器或LTE系统模拟器、衰落信道模拟器和LTE移动终端之间通过低损耗电缆相连接；