[发明专利]防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆有效

专利信息
申请号: 201010124643.9 申请日: 2010-03-11
公开(公告)号: CN102194652A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 张步新 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;顾珊
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆。所述方法包括下列步骤:判断待加工系列晶圆是否发生翘曲;确定需要引入待加工系列晶圆的离子类型;确定需要引入待加工系列晶圆的离子引入量;在待加工系列晶圆上沉积氧化层并涂覆光刻胶;对光刻胶进行曝光、显影,暴露划片槽上方的氧化层;将离子类型的离子以离子引入量引入待加工系列晶圆的划片槽;去除光刻胶和氧化层;对引入离子的待加工系列晶圆进行加热;对引入离子的待加工系列晶圆进行高温退火工艺。由该方法得到的晶圆,在其划片槽中形成有产生相应的张应力或压应力的应力区域。本发明可以在进行各种制程之前对晶圆进行处理以有效地防止后续过程中发生的翘曲问题。
搜索关键词: 防止 晶圆翘曲 方法 以及 得到
【主权项】:
一种用于防止晶圆翘曲的方法,该方法包括下列步骤:判断待加工系列晶圆是否发生翘曲;确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子类型;确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子引入量;在所述待加工系列晶圆上依次沉积氧化层并涂覆光刻胶;对所述光刻胶进行曝光、显影,暴露所述待加工系列晶圆的划片槽上方的所述氧化层;将所述离子类型的离子以所述离子引入量引入所述待加工系列晶圆的所述划片槽;去除所述光刻胶和所述氧化层;对引入离子的所述待加工系列晶圆进行加热;对所述引入离子的所述待加工系列晶圆进行高温退火工艺。
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