[发明专利]防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，更特别地涉及一种防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆。

背景技术

晶圆翘曲是半导体制造领域中普遍存在的现象。在晶圆的一些制造过程中，晶圆部分区域的对准标记的位置常常出现异常。这是因为晶圆在进行某些制程如热氧化后，发生了翘曲且超过了允许值范围，但没有进行及时补偿校正而造成的。

目前，为了避免上述情况，业界的通常做法是在晶圆进行某些制程后，对晶圆翘曲的程度进行检测以判断其是否在允许范围内。如果超过允许范围，则说明晶圆发生的翘曲会影响后续制程，需要进行补偿校正。但单纯的检测方法无法从根本上防止晶圆发生翘曲的情况，而且后续的补偿校正措施也可能由于存在某些缺陷而无法完全弥补翘曲引起的缺陷。另外，发生翘曲的晶圆会在后续的多个工艺加工步骤中对设备的性能、稳定性以及线宽度控制等多种参数产生不良影响。例如，晶圆的均胶和显影工序通常是通过离心机带动吸附有晶圆的底座一起旋转来完成的，但如果晶圆在前序工艺中发生翘曲，会导致底座无法完全吸住晶圆，使得晶圆在旋转过程中由于吸附力小而造成设备停机，甚至发生掉片，造成不必要的损失。进一步地，晶圆翘曲可上可下并不固定，翘曲的程度也不同，所以也不便于将发生翘曲的晶圆与标准晶圆一起放入晶圆盒中。尤其，近些年应力硅方法的引入使得翘曲问题的后果变得更加严重。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中存在的晶圆翘曲问题，本发明提供了一种用于防止晶圆翘曲的方法，所述方法包括下列步骤：

判断待加工系列晶圆是否发生翘曲；

确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子类型；

确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子引入量；

在所述待加工系列晶圆上依次沉积氧化层并涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露所述待加工系列晶圆的划片槽上方的所述氧化层；

将所述离子类型的离子以所述离子引入量引入所述待加工系列晶圆的所述划片槽；

去除所述光刻胶和所述氧化层；

对引入离子的所述待加工系列晶圆进行加热；

对所述引入离子的所述待加工系列晶圆进行高温退火工艺。

进一步地，在翘曲检测设备上检测所述待加工系列晶圆是否发生翘曲。

进一步地，当所述待加工系列晶圆的周边向上翘曲时，所述离子类型采用氧离子或氮离子。

进一步地，当所述待加工系列晶圆的周边向下翘曲时，所述离子类型采用碳离子或氮离子与氧离子的混合离子。

进一步地，根据所述待加工系列晶圆的翘曲程度确定离子引入量。

进一步地，对所述引入离子的所述待加工系列晶圆进行加热的加热温度为400-1200摄氏度。

进一步地，所述加热温度为1000摄氏度。

本发明涉及一种根据上述方法得到的晶圆，其中，在所述晶圆的划片槽中形成有应力区域。

进一步地，在所述应力区域中包含有氧离子、氮离子、碳离子或氮离子与氧离子的混合离子。

因此，本发明可以在进行各种制程之前对晶圆进行处理以有效地防止晶圆在后续过程中发生翘曲，从而提高晶圆的成品合格率；同时，还可以防止由于翘曲而在后续加工过程中发生的设备停机、甚至掉片的情况，从而减小停机维护的频率，降低生产人员的工作负担，提高生产效率；另外，还可以尽可能多及安全地将晶圆放在晶圆盒中保存或运输。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中，

图1所示为根据本发明一个实施例的用于防止晶圆翘曲的方法的工艺流程图；

图2A和图2B所示为根据本发明一个实施例的用于防止晶圆翘曲的方法的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底了解本发明，将在下列的描述中对防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆进行详细说明。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。