[发明专利]防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆有效
| 申请号： | 201010124643.9 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194652A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张步新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 晶圆翘曲 方法 以及 得到 | ||
1.一种用于防止晶圆翘曲的方法，该方法包括下列步骤：
判断待加工系列晶圆是否发生翘曲；
确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子类型；
确定需要引入所述待加工系列晶圆的离子引入量；
在所述待加工系列晶圆上依次沉积氧化层并涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光、显影，暴露所述待加工系列晶圆的划片槽上方的所述氧化层；
将所述离子类型的离子以所述离子引入量引入所述待加工系列晶圆的所述划片槽；
去除所述光刻胶和所述氧化层；
对引入离子的所述待加工系列晶圆进行加热；
对所述引入离子的所述待加工系列晶圆进行高温退火工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在翘曲检测设备上检测所述待加工系列晶圆是否发生翘曲。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述待加工系列晶圆的周边向上翘曲时，所述离子类型采用氧离子或氮离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述待加工系列晶圆的周边向下翘曲时，所述离子类型采用碳离子或氮离子与氧离子的混合离子。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述待加工系列晶圆的翘曲程度确定离子引入量。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述引入离子的待加工系列晶圆进行加热的加热温度为400-1200摄氏度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述加热温度为1000摄氏度。
8.一种根据权利要求1所述的方法得到的晶圆，其中，在所述晶圆的划片槽中形成有应力区域。
9.根据权利要求8所述的晶圆，其特征在于，在所述应力区域中包含有氧离子、氮离子、碳离子或氮离子与氧离子的混合离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
