[发明专利]形成场效应晶体管和半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010124111.5 | 申请日： | 2010-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101916774A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;金成东;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;郑菊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：形成在块衬底上的掩埋绝缘体层；形成在掩埋绝缘体层上并对应于场效应晶体管(FET)的体区的第一类型的半导体材料；形成在掩埋绝缘体层之上、邻近体区的相对着的两侧并对应于FET的源区和漏区的第二类型的半导体材料；第二类型的半导体材料与第一类型的半导体材料具有不同的带隙；其中FET的源侧p/n结基本上位于第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较低带隙的一个之内，并且FET的漏侧p/n结基本上全部位于第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较高带隙的一个之内。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 场效应 晶体管 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在块衬底上的掩埋绝缘体层；形成在所述掩埋绝缘体层上并对应于场效应晶体管(FET)的体区的第一类型的半导体材料；形成在所述掩埋绝缘体层之上、邻近所述体区的相对着的两侧并对应于所述FET的源区和漏区的第二类型的半导体材料；所述第二类型的半导体材料与所述第一类型的半导体材料具有不同的带隙；其中所述FET的源侧p/n结基本上位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较低带隙的一个之内，并且所述FET的漏侧p/n结基本上全部位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较高带隙的一个之内。
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