[发明专利]形成场效应晶体管和半导体器件的方法有效

申请号：	201010124111.5	申请日：	2010-03-01
公开（公告）号：	CN101916774A	公开（公告）日：	2010-12-15
发明（设计）人：	骆志炯;金成东;朱慧珑	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	吴立明;郑菊
地址：	美国纽***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	形成场效应晶体管半导体器件方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件，包括：

形成在块衬底上的掩埋绝缘体层；

形成在所述掩埋绝缘体层上并对应于场效应晶体管(FET)的体区的第一类型的半导体材料；

形成在所述掩埋绝缘体层之上、邻近所述体区的相对着的两侧并对应于所述FET的源区和漏区的第二类型的半导体材料；

所述第二类型的半导体材料与所述第一类型的半导体材料具有不同的带隙；

其中所述FET的源侧p/n结基本上位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较低带隙的一个之内，并且所述FET的漏侧p/n结基本上全部位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较高带隙的一个之内。

2.如权利要求1的器件，其中所述第一类型的半导体材料比所述第二类型的半导体材料具有更高的带隙。

3.如权利要求2的器件，其中所述第一类型的半导体材料包括硅，并且所述第二类型的半导体材料包括硅锗。

4.如权利要求1的器件，其中所述第一类型的半导体材料比所述第二类型的半导体材料具有更高的带隙。

5.如权利要求1的器件，其中所述FET包括PFET器件。

6.一种在场效应晶体管(FET)器件中形成非对称p/n结的方法，所述方法包括：

对所述FET器件进行有角度的掺杂剂注入，所述FET器件具有形成在块衬底上的掩埋绝缘体层，形成在所述掩埋绝缘体层之上并对应于所述FET器件的体区的第一类型的半导体材料，形成在所述掩埋绝缘体层之上、邻近所述体区的相对着的两侧并对应于所述FET器件的源区和漏区的第二类型的半导体材料，所述第二类型的半导体材料与所述第一类型的半导体材料具有不同的带隙；

其中所述FET器件的源侧p/n结基本上位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较低带隙的一个之内，并且所述FET器件的漏侧p/n结基本上全部位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较高带隙的一个之内。

7.如权利要求6的方法，其中所述第一类型的半导体材料比所述第二类型的半导体材料具有更高的带隙。

8.如权利要求7的方法，其中所述第一类型的半导体材料包括硅，并且所述第二类型的半导体材料包括硅锗。

9.如权利要求6的方法，其中所述第一类型的半导体材料比所述第二类型的半导体材料具有更高的带隙。

10.如权利要求6的方法，其中所述FET器件包括PFET器件。

11.一种形成场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：

在块衬底上形成掩埋绝缘体层；

在所述掩埋绝缘体层上形成第一类型的半导体材料；

去除所述第一类型的半导体材料中对应于所述FET器件的源区和漏区的部分，并保留所述第一类型的半导体材料中对应于所述FET器件的体区的部分；

在所述掩埋绝缘体层之上对应于所述FET器件的所述源区和漏区形成第二类型的半导体材料，所述第二类型的半导体材料与所述第一类型的半导体材料具有不同的带隙；以及

进行有角度的掺杂剂注入，以使得所述FET器件的源侧p/n结基本上位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较低带隙的一个之内，并且所述FET的漏侧p/n结基本上全部位于所述第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料中具有较高带隙的一个之内。

12.如权利要求11的方法，其中所述第一类型的半导体材料具有比所述第二类型的半导体材料更高的带隙。