[发明专利]在位错阻挡层上的高迁移率沟道器件有效
| 申请号： | 201010119567.2 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101814457A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成集成电路结构的方法，其包括：在半导体衬底中形成第一凹槽；以及在第一凹槽中形成位错阻挡层。位错阻挡层包含半导体材料。形成浅沟槽隔离(STI)区域，其中，STI区域的内部直接在位错阻挡层的多部分上方，并且STI区域的内壁接触位错阻挡层。通过去除在STI区域的两个内壁之间的位错阻挡层部分来形成第二凹槽，其中，两个内壁彼此面对。在第二凹槽中外延生长半导体区域。还公开了一种在位错阻挡层上的高迁移率沟道器件。 | ||
| 搜索关键词： | 在位 阻挡 迁移率 沟道 器件 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：设置半导体衬底；在所述半导体衬底中形成第一凹槽；在所述第一凹槽中形成位错阻挡层，其中，所述位错阻挡层包含半导体材料；形成浅沟槽隔离(STI)区域，其中，所述STI区域的内部直接在所述位错层部分的上方，并且所述STI区域的内壁接触所述位错阻挡层。通过去除在所述STI区域的两个内壁之间的所述位错阻挡层部分来形成第二凹槽，其中，所述两个内壁彼此面对；以及在所述第二凹槽中外延生长半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
