[发明专利]一种半导体存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010115090.0 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102169882A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘磊;刘伟 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器器件，它包括一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个平面沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控二极管。所述的半导体存储器器件，用浮栅区存储信息，用栅控二极管将浮栅与衬底连接，并通过该栅控二极管对浮栅进行充电或放电。本发明采用自对准工艺制造，工序简单且稳定，而且本发明采用平面沟道结构，可以兼容逻辑电路和闪存器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器器件，包括：一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个平面沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
