[发明专利]一种半导体存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个平面沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控二极管。

2.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其特征在于，所述的半导体存储器器件采用平面沟道的FJG结构。

3.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其特征在于，所述的浮栅区由多晶硅、钨、氮化钛或者合金材料所形成。

4.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其特征在于，所述栅控二极管的阳极与所述浮栅区相连接，所述栅控二极管的阴极与所述漏区相连接；或者所述栅控二极管的阴极与所述浮栅区相连接，所述栅控二极管的阳极与所述漏区相连接。

5.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其特征在于，通过所述栅控二极管对所述浮栅区进行充电或放电以此改变储存在所述浮栅区内的电荷数量，此电荷数量决定了所述半导体存储器器件的逻辑状态。

6.一种半导体存储器器件的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一个已经形成浅槽隔离的半导体衬底；

在所述衬底上形成第一种绝缘膜；

在所述第一种绝缘材料层上形成栅极叠层；

对所述栅极叠层进行光刻，然后进行刻蚀直到停止在所述第一种绝缘材料层上，形成一个窗口；

进行注入离子以形成第一种掺杂的漏区；

去除暴露的第一种绝缘材料层，然后淀积第一种导电材料；

对所述第一种导电材料进行回刻，形成边墙，所述边墙连接了浮栅区和漏区；

进行光刻，然后通过刻蚀技术对所述栅极叠层和所述边墙进行刻蚀，形成器件的浮栅区；

淀积或生长第二种绝缘膜；

在所述第二种绝缘膜之上形成器件的控制栅极；

进行注入离子形成器件的源区；

淀积形成第三种绝缘膜；

进行金属布线。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为单晶硅或绝缘体上硅(SOI)。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的第一种和第二种绝缘膜是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介电常数的绝缘材料层，其厚度范围为6-200埃。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的浮栅区材料层为p型掺杂，比如掺硼离子。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一种掺杂类型为n型杂质掺杂。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三种绝缘膜由二氧化硅、氮氧化硅或者低介电常数的绝缘材料而形成，其厚度范围为100-3000埃。