[发明专利]集成电路设计的漏电流分布的模拟方法

摘要

一种集成电路设计的漏电流分布的模拟方法；该模拟方法分析一个集成电路的设计图，以了解该集成电路的晶体管及电容的尺寸；然后分析出该设计图因为制程变异而可能产生的漏电流分布。由此，设计者可在集成电路设计实际地被半导体制造厂制造前，预先知道该集成电路设计的漏电流分布；并且可修改该设计图，如果该设计图可能发生漏电流失误。

主权项

一种集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，包括步骤如下：a、取得一个包含多个晶体管及多个电容的集成电路设计图的电路描述文件；b、分析该电路描述文件，以取得多个晶体管的尺寸及多个电容的尺寸，以及取得每一个该晶体管的尺寸所对应的一晶体管的数目，与每一个该电容的尺寸所对应的一电容的数目；c、取得一个用以制造所述这些晶体管及所述这些电容的制程的多个制程变异范围；d、根据所述这些制程变异范围，来将所述这些晶体管的尺寸与所述这些电容的尺寸变化；e、模拟出每一个变化后的该晶体管的尺寸的一漏电流值，模拟出每一个变化后的该电容的尺寸的一漏电流值，其中所述这些漏电流值是由一特别为集成电路的模拟程序所模拟出；f、将每一个该晶体管的尺寸的漏电流值分别与该尺寸所对应的晶体管的数目相乘，以及将每一个该电容的尺寸的漏电流值分别与该尺寸所对应的电容的数目相乘；g、将所述这些相乘后的漏电流值做运算，以得到一总漏电流值；h、重复步骤d至步骤g，以得到其他的多个总漏电流值；以及i、从所述这些总漏电流值产生出一漏电流分布。