[发明专利]集成电路设计的漏电流分布的模拟方法

权利要求书

1.一种集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，包括步骤如下：

a、取得一个包含多个晶体管及多个电容的集成电路设计图的电路描述文件；

b、分析该电路描述文件，以取得多个晶体管的尺寸及多个电容的尺寸，以及取得每一个该晶体管的尺寸所对应的一晶体管的数目，与每一个该电容的尺寸所对应的一电容的数目；

c、取得一个用以制造所述这些晶体管及所述这些电容的制程的多个制程变异范围；

d、根据所述这些制程变异范围，来将所述这些晶体管的尺寸与所述这些电容的尺寸变化；

e、模拟出每一个变化后的该晶体管的尺寸的一漏电流值，模拟出每一个变化后的该电容的尺寸的一漏电流值，其中所述这些漏电流值是由一特别为集成电路的模拟程序所模拟出；

f、将每一个该晶体管的尺寸的漏电流值分别与该尺寸所对应的晶体管的数目相乘，以及将每一个该电容的尺寸的漏电流值分别与该尺寸所对应的电容的数目相乘；

g、将所述这些相乘后的漏电流值做运算，以得到一总漏电流值；

h、重复步骤d至步骤g，以得到其他的多个总漏电流值；以及

i、从所述这些总漏电流值产生出一漏电流分布。

2.如权利要求1所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，更包括步骤如下：

确认该漏电流分布是否合乎一规范要求。

3.如权利要求1或2任一项所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，更包括步骤如下：

修改该集成电路设计图以改善该漏电流分布。

4.如权利要求1所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，该晶体管的尺寸包括：通道宽度、通道长度以栅极介电层厚度。

5.如权利要求1所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，步骤e中，每一个变化后的该晶体管的尺寸的多个电性参数及每一个变化后的该电容的尺寸的多个电性参数也被模拟出；所述这些电性特性是由该特别为集成电路的模拟程序所模拟出。

6.如权利要求5所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，所述这些电性参数包括：饱和驱动电流、临界电压及电阻值。

7.如权利要求5所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，更包括步骤如下：

取得一装置测试数据，其具有多个实际的电性参数；以及

使用该装置测试数据来矫正一制程装置统计模型。

8.如权利要求1所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，步骤a至步骤i重复执行于多个半导体制造厂，以分别地得到所述这些半导体制造厂的一漏电流分布。

9.如权利要求8所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，更包括步骤如下：

从所述这些半导体制造厂的漏电流分布中，建立出一漏电流比较信息。

10.如权利要求1所述的集成电路设计的漏电流分布的模拟方法，其特征在于，更包括步骤如下：

依循一监控装置规范，从集成电路设计中取得一监控装置；

取得该监控装置的一光罩量测数据，以进一步得到该监控装置的光罩尺寸变异；

取得该监控装置的一制造量测数据，以进一步得到该监控装置的制程参数变异；以及

产生该监控装置的一漏电流分布；

其中该监控装置规范包括：特征密度、方位、间距及晶体管的尺寸。