[发明专利]用于FinFET的ESD保护有效
| 申请号： | 201010106330.0 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101814525A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李介文;娄经雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于FinFET的ESD保护。一个实施例是半导体器件，包括：接收器电路，包括鳍状场效应晶体管(FinFET)；收发器电路，包括FinFET；以及传输总线，电连接接收器电路和收发器电路，其中，接收器电路和收发器电路均进一步包括静电放电保护电路，静电放电保护电路包括电连接至传输总线的平面晶体管。其他实施例可以进一步包括电连接第一电源总线和第一接地总线的电源钳位、电连接第二电源总线和第二接地总线的电源钳位或者电交叉连接第一接地总线和第二接地总线的至少两个二极管。此外，收发器电路和接收器电路的平面晶体管均可以包括平面PMOS晶体管和平面NMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet esd 保护 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：收发器电路，包括鳍状场效应晶体管(FinFET)和第一接地总线；接收器电路，包括FinFET和第二接地总线；以及传输总线，电连接所述接收器电路和所述收发器电路，其中，所述接收器电路和所述收发器电路均进一步包括静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括电连接至所述传输总线的平面晶体管。
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