[发明专利]一种非易失性存储器及其设计方法有效
| 申请号： | 201010105324.3 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101783352A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱一明 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器及其设计方法，包括一种非易失性存储器，包括源极、漏极、浮栅和控制栅，其中，所述浮栅包括二氧化硅层、多晶硅层和第一金属层的第一部分；其中，所述多晶硅层通过接触孔与所述第一金属层的第一部分相连接；所述控制栅包括所述第一金属层的第二部分和第三部分；其中，所述第一金属层的第二部分和第三部分与所述第一金属层的第一部分之间电性绝缘，形成耦合电容。通过本发明为用户提供了一套成本投入小、存储性能优越、基于现有逻辑工艺的非易失性存储器设计制造解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，包括源极、漏极、浮栅和控制栅，其特征在于，所述浮栅包括二氧化硅层、多晶硅层和第一金属层的第一部分；其中，所述多晶硅层通过接触孔与所述第一金属层的第一部分相连接；所述控制栅包括所述第一金属层的第二部分和第三部分；其中，所述第一金属层的第二部分和第三部分与所述第一金属层的第一部分之间电性绝缘，形成耦合电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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