[发明专利]一种非易失性存储器及其设计方法有效
| 申请号： | 201010105324.3 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101783352A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱一明 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 设计 方法 | ||
1.一种非易失性存储器，包括提供源极、漏极、浮栅和控制栅，其特征 在于，
所述浮栅包括二氧化硅层、多晶硅层、第一金属层的第一部分和第二金属 层的第一部分；其中，所述多晶硅层通过接触孔与所述第一金属层的第一部分 相连接，所述第一金属层的第一部分通过通孔与所述第二金属层的第一部分相 连接；
所述控制栅包括所述第一金属层的第二部分、所述第一金属层的第三部 分、所述第二金属层的第二部分、所述第二金属层的第三部分、和所述第三金 属层；其中，所述第一金属层的第二部分通过通孔与所述第二金属层的第二部 分相连接，所述第一金属层的第三部分通过通孔与所述第二金属层的第三部分 相连接，所述第二金属层的第二部分和第三部分分别通过通孔与所述第三金属 层相连接；
其中，所述第一金属层的第二部分和第三部分与所述第一金属层的第一部 分之间电性绝缘，形成第一电容耦合；所述第二金属层的第二部分和第三部分 与所述第二金属层的第一部分之间电性绝缘，形成第二电容耦合。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性 存储器包括P型金属氧化物半导体晶体管或N型金属氧化物半导体晶体管。
3.一种非易失性存储器设计方法，所述非易失性存储器包括源极、漏极、 浮栅和控制栅，其特征在于，
将二氧化硅层、多晶硅层、第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部 分形成所述浮栅；其中，将所述多晶硅层通过接触孔与所述第一金属层的第一 部分相连接，将所述第一金属层的第一部分通过通孔与所述第二金属层的第一 部分相连接；
将所述第一金属层的第二部分、所述第一金属层的第三部分、所述第二金 属层的第二部分、所述第二金属层的第三部分、和所述第三金属层形成所述控 制栅；其中，所述第一金属层的第二部分通过通孔与所述第二金属层的第二部 分相连接，所述第一金属层的第三部分通过通孔与所述第二金属层的第三部分 相连接，所述第二金属层的第二部分和第三部分分别通过通孔与所述第三金属 层相连接；
其中，所述第一金属层的第二部分和第三部分与所述第一金属层的第一部 分之间电性绝缘，形成第一电容耦合；所述第二金属层的第二部分和第三部分 与所述第二金属层的第一部分之间电性绝缘，形成第二电容耦合。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储器采用 P型金属氧化物半导体晶体管或N型金属氧化物半导体晶体管。
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