[发明专利]半导体存储装置的数据对齐电路和方法无效

专利信息
申请号: 201010100881.6 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101937704A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 郑椿锡;朴起德;俞昌植;李将雨;金洪中 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体存储装置的数据对齐电路,包括:数据选通时钟相位控制块,配置为响应于选通延迟码,控制数据选通时钟信号的相位,并产生延迟的选通时钟信号;多个数据相位控制块,配置为响应于数据延迟码,控制输入数据的相位,并产生延迟的数据;多个数据对齐块,配置为响应于所述延迟的选通时钟信号,锁存所述延迟的数据,并产生锁存的数据和对齐的数据;以及延迟码发生块,配置为执行确定所述锁存的数据的相位的操作,并产生所述选通延迟码和所述数据延迟码。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 数据 对齐 电路 方法
【主权项】:
一种半导体存储装置的数据对齐电路,包括:数据选通时钟相位控制块,配置为响应于选通延迟码,控制数据选通时钟信号的相位,并产生延迟的选通时钟信号;多个数据相位控制块,配置为响应于各个数据延迟码,控制各个输入数据的相位,并产生各个延迟的数据;多个数据对齐块,配置为响应于所述延迟的选通时钟信号,锁存所述各个延迟的数据,并产生各个锁存的数据和对齐的数据;以及延迟码发生块,配置为确定所述锁存的数据的相位,并产生所述选通延迟码和所述数据延迟码。
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