[发明专利]掩膜版缺陷的判断方法及判断系统有效
| 申请号： | 201010022874.9 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102129164A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 林光启;康栋;王永刚;张宇磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩膜版缺陷的判断方法，包括：提供具有图形的掩膜版及不同晶片，将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上；获取所述晶片的图形，判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置；提供位置阈值，对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较，若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值，则判断所述这些缺陷位于同一区域内；提供预定值，若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值，则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。本发明还提供一种掩膜版缺陷的判断系统，实现在线对掩膜版的缺陷进行判断的功能，及时判断出缺陷掩膜版，精确判断效果，提高判断效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 缺陷 判断 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种掩膜版缺陷的判断方法，其特征在于，包括：提供具有图形的掩膜版及不同晶片，将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上；获取所述晶片的图形，判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置；提供位置阈值，对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较，若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值，则判断所述这些缺陷位于同一区域内；提供预定值，统计位于同一区域内的缺陷所在晶片的数量，若超过所述预定值，则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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